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最新磁阻式記憶體(MRAM)技術發展

現階段半導體業積極開發以STT (spin-transfer torque)..

  因應High Speed及Huge storage市場需求,次世代記憶體也將有爆炸性的發展。眾多新型態記憶體中,MRAM磁阻式記憶體,具有低耗能、寫入速度快等特性,因而成為產學各方研發重點項目。 現階段半導體業積極開發以STT (spin-transfer torque)為基本架構的MRAM (magnetoresistive random access memory),期待在製程不斷微縮化的過程中,能夠將尺寸小的STT-MRAM 作為嵌入式記憶體 (embedded memory)。

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上課地址:工業技術研究院 台北學習中心
上課時數:6
起迄日期:2018/10/09~2018/10/09
聯絡資訊:李晨安/23701111#316 or 827316
報名截止日:2018/10/08  
課程類別:研討會
研討會編號:2318080008
  

*本課程歡迎企業包班~請來電洽詢 課程承辦人徐小姐、李小姐02-23701111#309316

最新磁阻式記憶體(MRAM)技術發展

 

課程簡介

因應High SpeedHuge storage市場需求,次世代記憶體也將有爆炸性的發展。眾多新型態記憶體中,MRAM磁阻式記憶體,具有低耗能、寫入速度快等特性,因而成為產學各方研發重點項目。

現階段半導體業積極開發以STT (spin-transfer torque)為基本架構的MRAM (magnetoresistive random access memory),期待在製程不斷微縮化的過程中,能夠將尺寸小的STT-MRAM 作為嵌入式記憶體 (embedded memory)

除了 STT 以外,另外一種新型態的SOT (spin-orbit torque)自旋矩,自旋電流可以被有效率地產生。穩定應用在8吋晶圓製程上,SOT-MARM將成為未來市場主流。

 

課程大綱

  1. 磁學及自旋電子學簡介

  2. 磁性材料與磁性薄膜成長
  3. 磁阻式記憶體 MRAM 元件製程

  4. 現階段 STT-MRAM 開發與應用

  5. 新型態 SOT-MRAM 開發與應用

  6. 八吋晶圓上的 SOT-MARM 開發實例

 

課程日期

107109()09301630 6小時。

上課地點

工研院產業學院 台北學習中心。實際地點依上課通知為準!

 課程聯絡人

02-2370-1111分機316李小姐、分機309徐小姐

 

講師簡介

 

講師簡介:白奇峰

 

現職:台灣大學材料系 教授

學歷:康乃爾大學應用物理 博士

國立臺灣大學材料/物理 雙學士

經歷:
(1)present工研院電光系統所特聘研究
(2)麻省理工學院博士後研究
(3)康乃爾大學博士後研究
(4)present Nature Materials, Physical Review Letters, Physical Review Applied, Physical Review B, Physical Review Materials, IEEE Trans Mag, Applied Physics Letters, Scientific Reports 等審稿人。

 

價格

 

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2,880 

2,680 

※ 團體定義:同時或相約報名參加,不限於相同單位。

※ 請於開課日期前 10 天完成繳費。



附件
1009_最新磁阻式記憶體(MRAM)技術發展.pdf

 
   




簡介


產業學院緣起
  依據行政院「挑戰2008:國家發展重點計畫」下之「國際創新研發基地」與「產業高值化」兩計畫,首重產業科技人才的效能。

•911216經科字第09103373120號函:經濟部將本院籌設工研院產業學院之工作,列為因應產業結構轉型,提 ... more

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