用於5G智慧手機BAW。SAW濾波器之全新薄膜材料

此門領域是大學等機構平常較少鑽研的「固體音響學」與「高周波技術」....

　　【日本專家】用於5G智慧手機BAW。SAW濾波器之全新薄膜材料特性與晶圓檢測法、全新配向材料.為了從眾多無線周波數中接收發送所需的周波數領域，智慧型手機中，需要搭載濾波器。受到國際漫遊等影響，使得無線濾波器數量增加，除此之外隨著5G普及，濾波器成為一門大事業。壓電・彈性波元件領域的最大特徵是:在研發階段所需的必要技術水準極高，為人力費用低廉的他國難以模仿之領域。然而，此門領域是大學等機構平常較少鑽研的「固體音響學」與「高周波技術」之日積月累，相較於半導體等領域而言，可謂是進入門檻較高的領域。

提供機構：

工業技術研究院(工研院產業學院)

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【日本專家】用於5G智慧手機BAW。SAW濾波器之全新薄膜材料特性與晶圓檢測法、全新配向材料

上課地址：工研院新竹中興院區 (實際上課地點以上課通知為準!) 「實體授課」或「同步數位課程」(二擇一)

時數：6

起迄日期：2020-07-15~2020-07-15

聯絡資訊：吳意嵐/02-23701111#303

報名截止日：2020-07-13

課程類別：研討會

活動代碼：2320060041

課程介紹

為了從眾多無線周波數中接收發送所需的周波數領域，智慧型手機中，需要搭載濾波器。受到國際漫遊等影響，使得無線濾波器數量增加，除此之外隨著5G普及，濾波器成為一門大事業。壓電・彈性波元件領域的最大特徵是:在研發階段所需的必要技術水準極高，為人力費用低廉的他國難以模仿之領域。然而，此門領域是大學等機構平常較少鑽研的「固體音響學」與「高周波技術」之日積月累，相較於半導體等領域而言，可謂是進入門檻較高的領域。

課程介紹

為設計BAW・SAW濾波器及壓電元件，選定必要材料
為設計BAW・SAW濾波器及壓電元件，所必要之壓電體音響特性的異向性(Anisotropy)處理
BAW・SAW濾波器及壓電元件的晶圓壓電薄膜之音響特性、壓電性的檢測法
線形系統(示波器及網路分析儀(Network Analyzer)
壓電薄膜濺鍍(Sputter)成長的KNOW HOW
壓電薄膜的配向控制及新元件應用

課程資訊

舉辦日期：109年07月15日（三），09：30~16：30（共6小時）

舉辦地點：工研院新竹中興院區 (實際上課地點以上課通知為準!)

上課形式：「實體授課」或「同步數位課程」(二擇一)

主辦單位：三建產業資訊
協辦單位：工研院產業學院產業人才訓練一部(台北)

課程大綱

課程大綱
一、用於5G智慧型手機的濾波器RF濾波器之動向
1.為何壓電材料濾波器需要使用壓電材料呢? 2.BAW濾波器、SAW濾波器、LC濾波器 3.BAW材料特性的重要性 4.壓電材料的trade-off		5.壓電單結晶的薄片化、貼合、Smart cut LiNbO3等等 6.新材料:ScAlN薄膜 7.ScAlN薄膜的替代材料
二、基板薄膜共振器之kt2測定法比較
1.進入本段之前 (確認基礎事項) (1)線形系統與脈衝響應（Impulse Response） (2)網路分析儀及示波器的定位 (3)基板薄膜共振器(HBAR)的時間領域(Time Domain)與周波數領域(Frequency Domain)特性 (4)使用壓電體進行超音波的接收發送波 2.機電耦合係數（Electromechanical coupling coefficient ）: kt2 3.熱電與壓電結合係數的類比:k與ZT 4.壓電薄膜的kt2値取值法 5.d33量測系統(d33 meter)無法作為壓電薄膜評估用途 6.IEEE Standard訂定之kt2 決定方法:共振–反共振法	7.晶圓壓電薄膜的kt2取值法:轉換損耗(conversion loss)測定 [1,2] 8.基板薄膜的時間響應波形(脈衝響應) 9.轉換損耗周波數特性AlN/石英玻璃 10.kt2値的測定流程 11.Mason等價回路模型 12.kt2 增大案例:AlN與ScAlN的比較 13.標準方法:共振反共振法的相關性 14.訊號處理不會發生誤差嗎? 15.晶圓壓電薄膜的新kt2取值法:共振周波數比法3 16.共振周波數比法 (自立薄膜構造) 17.共振周波數比法 (基板薄膜構造) 18.晶圓薄膜的取值法及IEEE Standard方法之相關性
三、ScAlN的機電耦合係數與音響特性
1.進入本段之前 (確認基礎事項) (1)纖鋅礦(Wurtzite)(AlN , ScAlN , GaN , ZnO等)單軸異向性（uniaxial anisotropy） (2)應變與應力的工學性標記 (3)虎克定律(Hooke's Law)(考量異向性) (4)彈性定數(考量異向性) (5)壓電基本方程式 (6)單軸異向性材料的壓電性(3方向為分極方向) (7)結晶中的音波傳遞(單軸異向性結晶) (8)座標迴轉(彈性定數與壓電定數) (9)波動方程式之解(單軸異向性結晶之例舉) (10)音速的異向性(單軸異向性結晶ZnO之例舉)	(11)變位的傾斜異向性(單軸異向性結晶ZnO之例舉) (12)機電耦合係數的異向性(單軸異向性結晶ZnO之例舉) (13)傾斜配向ScAlN薄膜的k15’對於Sc濃度依賴性 2.機電耦合係數與結晶配向性之關係 3.ScAlN薄膜試料的結晶配向性 4.機電耦合係數kt2的Sc濃度依賴性 5.縱波音速V33E與横波音速V44 E的Sc濃度依賴性 6.布里元散射法(Brillouin scattering) 7.布里元散射光譜 (spectrum)之例舉與音速測定 8.縱波音速V11E與横波音速V66 E的Sc濃度依賴性 9. 彈性定數的Sc濃度依賴性(與密度泛函理論相比)
四、ScAlN薄膜的成長
1.ScAl合金靶材的真空鑄造還元處理 2.濺鍍成膜中的高速負離子測定	3.Sc產出氧之影響 4.Sc產出高速氧負離子(預濺鍍（Pre-Sputtering）的效果)
五、ScAlN極性反轉構造薄膜共振器
1.AlN薄膜的極性 2.極性反轉ScAlN FBAR的特性 3.應用於能量封閉式共振器	4.以RF射頻濺鍍法進行低耗能正離子照射成膜 5.極性的判定方法(壓縮應力測試)
六、c軸平行AlN極性反轉構造薄膜共振器
1.以離子束(Ion Beam)進行配向性控制(c軸平行薄膜)	2.厚度剪切模態(thickness-shear mode)共振器的特徵 3.應用於非線形光學素子
七、壓電轉換薄膜音響共振器
1.電波的能源採集(Energy-Harvesting)(整流天線Rectenna) 2.電波增幅之必要性 3.以往的升壓迴路(Charge Pumping Vircuit) 4.左右傾斜反轉構造ScAlN薄膜	5.傾斜配向ScAlN薄膜的k15’對於Sc濃度依賴性 6.壓電轉換的模型化 7.壓電轉換共振器的實測特性與理論特性之比較

課程對象

從事BAW元件和壓電薄膜技術相關人員或相關半導體製造且對此有興趣之人員。

講師簡介
日本業界講師
專門領域：BAW元件和壓電薄膜成長與評價

價格

優惠方案	1位報名	2位報名	3位報名	5位報名
優惠價（人）	5,500元	5,000元	4,600元	4,300元
早鳥優惠（6/30前繳費）	4,800元	4,600元	4,300元	4,000元

其他課程資訊

●報名方式：
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2.或E-mail至itri533299@itri.org.tw
3.請填妥報名表(附件)傳真至02-23811000。

● 課程洽詢： 02-23701111#303 吳小姐

● 繳費資訊：
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(四)即期支票：抬頭「財團法人工業技術研究院」，郵寄至：10047台北市中正區館前路65號7樓吳小姐收。
※繳費後請於收據上註明「公司名稱、課程訊息、姓名、聯絡電話」，傳真至產業學院 02-23701111#303 吳小姐收
● 注意事項：
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3.因課前教材、講義及餐點之準備，若您不克前來需取消報名，請於開課前三日以EMAIL通知主辦單位聯絡人並電話確認申請退費事宜，逾期將郵寄講義，恕不退費。
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